7. MEMORIAS ASINCRONAS Y SINCRONAS
MEMORIAS ASINCRONAS
DRAM
Las DRAM fueron creadas por el Dr. Robert Dennard en el centro de
investigación de IBM Thomas J. Watson en 1966 y patentadas en 1968. Aparece en
forma de DIMMs o de SIMMs, siendo estos últimos de 30 contactos.
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria,
capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construcción de la
celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna,
consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de
funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador
significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor
que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con
dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los
semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.
Para 1973 Intel y otros fabricantes construían y empacaban sus
integrados de memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin
por cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un
integrado de 64 kilobits tendría 16 pines solo para las direcciones. Dentro de
los costos más importantes para el fabricante y el ensamblador de circuitos
impresos estaba la cantidad de pines del empaque y en un mercado tan competido
era crucial tener los menores precios. Debido a eso, un integrado con una
capacidad de 16 pines y 4Kb de capacidad fue un producto apreciado por los
usuarios, que encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por Intel y
Texas Instruments como insumos costosos.
FPM-RAM
Ésta es la RAM más antigua y menos sofisticada del mercado.
Aparece actualmente con dos velocidades de acceso, 60 nanosegundos los más
rápidos y 70 nanosegundos las más lentas. Para sistemas basados en procesadores
Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz)
es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de
espera de la cpu. Aparece como SIMMs de 30 ó 72 contactos (los de 72 en los
Pentium y algunos 486).
La FPMRAM (Fast Page Mode RAM) se basa en que se supone que el
siguiente acceso a un dato de memoria va a ser en la misma fila que el
anterior, con lo que se ahorra tiempo en ese caso. El acceso mas rápido de la
FPM RAM es de 5-3-3-3 ciclos de reloj para la lectura a ráfagas de cuatro datos
(Byte/Word/Dword) consecutivos.
EDO-RAM
Extended Data Output-RAM. Evoluciona de la Fast Page; permite
empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo
(haciendo su Output), lo que la hace algo más rápida (un 5%, más o menos).Muy
común en los Pentium MMX y AMD K6, con velocidad de 70, 60 ó 50 ns. Se instala
sobre todo en SIMMs de 72 contactos, aunque existe en forma de DIMMs de 168.Se trata
de una memoria más rápida ya que incorpora un cache interno que agiliza la
transferencia ente el micro y la RAM.
BEDO-RAM
Lee los datos en ráfagas, lo cual significa que una vez que se
accede a un dato de una posición determinada de memoria se lee los tres
siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, lo que se
traduce en 5-1-1-1 ciclos máquina el ciclo de lectura de 4 datos. Esta ram solo
es soportada en la actualidad (Primer trimestre de 1997) por los chipsets VIA
580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la memoria EDO, la limitación de la memoria
BEDO es que no puede funcionar por encima de los 66Mhz.
MEMORIAS SINCRONAS
SDR SDRAM
Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que
se presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Está muy extendida la creencia
de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para
diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy
rápido la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas
(tanto la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas.
PC66
La velocidad del bus de memoria es de 66 Mhz, temporización de 15
nanosegundos y ofrecen tasas de transferencias de hasta 533 MBs.
PC100
La velocidad de bus de memoria es de 125 Mhz, temporización de 8
nanosegundos y ofrece tasa de trasferencia de hasta 800 MBs
PC133
La velocidad del bus de memoria es
de 133 Mhz, temporización de 7,5 nanosegundos y ofrece una transferencia
de hasta 1066 Mhz.
DDR SDRAM
Memoria sincrónica, envía los datos 2 veces por cada siclo de
reloj de este modo trabaja el doble de velocidad del bus del sistema, sin
necesidad de aumentar la frecuencia del reloj.
PC 1600 o DDR200
Funciona a 2.5 V trabaja
200 MHz, es decir 100 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de
hasta 1,6 GB/S de ahí el nombre PC 1600, este tipo de memoria lo utilizaron los
Atlon XP
de AMD y los primeros Pentium 4.
PC 2100 o DDR266
Funciona a 2.5 V trabaja a 266 MHz es decir 133 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de
hasta 2.1 GB/s de ahí el nombre PC2100.
PC 2700 o DDR333
Funciona a 2.5 V
trabaja a 333 MHz es decir 166 MHz de
bus de memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 2,7 GB/s de ahí el
nombre PC2700.
PC 3200 o DDR400
Funciona a 2.5 V trabaja a 400 MHz es decir 200 MHz de bus de
memoria y ofrece tasas de transferencia de hasta 3.2GB/s de ahí el nombre
PC3200.
PC-4200 o DDR2-533
Trabaja a 553 MHz de bus de memoria y ofrece tasas de
transferencia de hasta 4.2 GB/s de ahí el nombre PC4200.
PC-4800 o DDR2-600
Trabaja a 600MHz es decir 300 MHz de bus de memoria y ofrece tasas
de transferencia de hasta 4.8 GB/s de ahí el nombre PC4800.
PC-5300 o DDR2-667
Trabaja a 667 MHz es decir 333 MHz de bus de memoria y ofrece
tasas de transferencia de hasta 5.3 GB/s de ahí el nombre PC5300.
PC-6400 o DDR2-800
Trabaja a 800 MHz es decir 400 MHz de bus de memoria y ofrece
tasas de transferencia de hasta 6.4 GB/s de ahí el nombre PC6400.
RDRAM
Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por
la empresa RAMBUS, lo cual obliga a sus
compradores a pagar regalías en concepto de uso.
XDR DRAM
Esa ecología elimina la inusual alta latencia que plagaba a su
procesador RDRAM
XDR2 DRAM
también se centra en el ancho de bandas soportado en sus pines, lo
que puede beneficiar considerablemente los costos de control en la producción
de PCB.
DRDRAM
Direct rambus DRAM: una
memoria RAM de la arquitectura totalmente nueva, con control del bus (el Rambus
channel Master) y una nueva via ( el canal de rambus) entre los
dispositivos de memoria ( el canal de
rambus esclavos). A single rambus cannel
has the potential to reach 500 MB in burst mode; a 20-fold increase over DRAM.
Un solo canal rambus tiene el potencial de llegar a los 500 MB en modo de
rafaga un 20-aumento de veces más memoria
RAM.
SLDRAM
Sysnclink DRAM-la SLDRAM
fruto de un desarrollo conjunto y, en cuanto a la velocidad puede representar
la competencia más cercana de rambus. Su desarrollo se lleva a cabo por un
grupo de 12 compañías fabricantes de
memoria. La SLDRAM es una extensión más rápida y mejorada de la arquitectura
SDRAM que amplía el actual diseño de 4 bancos a 16 bancos.
La SLDRAM se encuentra
actualmente en fase de desarrollo y se
prevé que entre en fase de producción en el 2000. El ancho de bandas de SLDRAM
es de los más altos 3.2 GB y su costo no
sería tan elevado.
SRAM
static random acces memory- memoria estática de acceso aleatorio. es un tipo de memoria más rápida y
confiable que la DRAM. el termino estática se debe a que necesita ser refrescada menos veces que la DRAM. Tienen
un tiempo de acceso del orden de 10 a 30
nanosegundos. un BIT de RAM estática se construye
con un circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basándose
en el cual de los dos transistores es activado.
estas memorias no precisan
de los complejos circuitos de refrigera miento como sucede con las RAMs dinámicas.
pero usan mucha más energía y espacio. La misma es usada como memoria cache.
EDRAM
Significa " incrustado DRAM ", un condensador con sede
en la memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en la misma morir como un
ASIC o procesador . el costo por bit es
mayor que el de los chips DRAM
independientes, pero en muchas aplicaciones las ventajas de rendimiento de la colocación
de la DRAM en el mismo chip que el procesador supera las desventajas de costes
en comparación con una memoria externa.
Incorporación de la memoria en el procesador ASIC o permite mucho más amplio autobuses y
mayores velocidades de operación y debido a una mayor densidad de gar parte de DRAM en comparación con SRAM.
l DRAM requiere pasos adicionales en comparación con el proceso de
fabSRAM integrado, lo que eleva los costos, pero el ahorro área de 3x de las cope
naciones de memoria DRAM el coste del proceso cuando una cantidad significativa
de memoria se utiliza en el diseño.
ESDRAM
Este tipo de memoria es apoyado por ALPHA, que piensa utilizarla
en sus futuros sistemas. Funciona a 133 MHz y alcanza transferencias de hasta
1,6GB pudiendo llegar alcanzar en modo doble con una velocidad de 150 MH hasta
3,2 GB. el problema es el mismo que el de las dos anteriores, la falta de
apoyo, y en esta caso agravado por el apoyo minoritario de ALPHA, VLSI, IBM y
DIGITAL.
VRAM
Es como la memoria RAM normal, pero puede ser accedida al mismo
tiempo por el monitor y por el procesador de la tarjeta gráfica, para suavizar
la presentación grafica en pantalla, es decir, se puede leer y escribir en ella
al mismo tiempo.
SGRAM
Ofrece las sorprendentes capacidades de la memoria SDRAM para las tarjetas
gráficas. Es el tipo de memoria más popular en las nuevas tarjetas graficas
aceleradoras 3D.
WRAM
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